PBSS4230PAN,115
NXP Semiconductors
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 290mV @ 200mA, 2A |
Transistor-Typ | - |
Supplier Device-Gehäuse | 6-HUSON-EP (2x2) |
Serie | - |
Leistung - max | 510mW |
Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 1A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2A |
Grundproduktnummer | PBSS4230 |
20 V, 2 A NPN/NPN LOW VCESAT BIS
NXP SOT23
TRANS 30V 2A 6HUSON
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() PBSS4230PAN,115NXP Semiconductors |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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